半導体製造装置に使用される部品です。 平面研削盤、グライディングセンターで研削加工と切削加工を行ったあと表面をLAP研磨。平行度・平面度は各3µm以内です。 材料炭化ケイ素（SiC）精度平行度：0.003mm以内平面度：0.003mm以内加工内容平面研削加工LAP研磨加工 注意事項 本サンプルは実際のワークではありません。当社の精密加工能力をより明確にイメージしていただくため、実際に製作・納品したワークを参考にモデリングしたダミーです。 お問い合わせ Outerリンク 精密切削加工ページへ Outerリンク 精密切削加工サンプル一覧へ
黒木伸彦
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