半導体製造装置に使用される部品です。

平面研削盤、グライディングセンターで研削加工と切削加工を行ったあと表面をLAP研磨。平行度・平面度は各1µm以内です。

材料炭化ケイ素(SiC)
外形寸法15.4 × 15.4 × t1.2 mm
精度平行度:0.001mm以内
平面度:0.001mm以内
加工内容平面研削加工
LAP研磨加工

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